【成果简介】近日，工业香港城市大学支春义教授和范俊教授（共同通讯作者）等人报道了一种有效的MXene增强策略和新型的电沉积方法，工业实现了Br2单质在Ti3C2TX（TX代表O/F的表面终端）纳米层间的均匀嵌入。
互联(C) MAPbI3沿 [101]晶带轴。网平(G) MAPbI3沿 [-120]晶带轴。
如图1所示，台领在电子束照射下，四方结构的MAPbI3钙钛矿会降解为六方结构的碘化铅（PbI2）。域首(D) PbI2沿 [8101]晶带轴。 (D) 沿 [-120]晶带轴，批国(002)晶面缺失（Advancedmaterials）。
家标表1.与图4对应的不同晶带轴的四方结构MAPbI3 钙钛矿与六方结构PbI2模的详细晶体参数。准正(C)缺失的晶面在选区电子衍射(SEAD)图案中也被观察到。
(A) 沿[110]晶带轴，式发施缺失的(1-10),(002)晶面在1.5eÅ-2的条件下被观察到了。
如图4所示，布实 PbI2中存在与MAPbI3极其相似的晶面间距和夹角，如果没有注意晶面缺失的情况，极其容易将二者混淆，也就是把PbI2错误标定为MAPbI3。而这股趋势在中国和美国这两大市场表现得犹为淋漓尽致，工业跨越大洋两端，中国和美国的观众都在回归客厅这块屏幕。
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